Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0

strong Marca, td Samsung, strong Modelo, strong MZ-V9S1T0BW, strong Capacidad, td -, strong 1TB, strong Interfaz, td - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, strong Tama&ntilde, strong o, td - M.2 (2280), strong Rendimiento, td - Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s, br - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s, br - Lectura aleatoria (4KB, br QD32): hasta 850.000 IOPS, br - Escritura aleatoria (4KB, br QD32): hasta 1.350.000 IOPS, strong Caracter&iacute, strong sticas, td - Memoria cach&eacute, td : HMB (b&uacute, td fer de memoria del host), br - Soporte TRIM, br - Soporte S.M.A.R.T, br - GC(Garbage collection): Algoritmo de recolecci&oacute, br n autom&aacute, br tica de basura, br - SOPORTE DE CIFRADO, br &nbsp, br Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal, br IEEE1667 (unidad cifrada), br - Soporte WWN, br - Soporte del modo de suspensi&oacute, br n del dispositivo, strong Alimentaci&oacute, strong n, br - Consumo medio de energ&iacute, br a (Nivel de sistema):, br Promedio: Lectura 4, br 3 W / Escritura 4, br 2 W, br - Consumo de energ&iacute, br a (inactivo): T&iacute, br pico 60 mW, br a (reposo del dispositivo): 5 mW t&iacute, br pico, br - Voltaje permitido: 3, br 3 V &plusmn, br 5 % Tensi&oacute, br n permitida, br - Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1, br 5 millones de horas (MTBF), br - Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 &ordm, br C Temperatura de funcionamiento, br - Choque: 1.500 G y 0, br 5 ms (medio seno), strong Dimensiones y peso, br - 80, br 15 x 22, br 15 x 2, br 38mm, br - Max. 9 g, strong Fecha de revisi&oacute, td 17-10-2024 por RTY